基于关键尺寸扫描电子显微镜的堆叠误差测量与补偿方法

本发明涉及一种基于关键尺寸扫描电子显微镜(CDSEM)的堆叠误差(Overlay)测量与补偿方法，包括如下步骤：按照设定的结构和/或尺寸和/或位置关系在芯片的不同层制备测试结构，该测试结构包含用于量测多个方向尺寸的特征；通过光刻曝光对芯片的前层和后层进行曝光，分别确定测试结构的两部分；刻蚀形成测试结构；使用扫描电子显微镜分别测量前层和后层的测试结构的关键尺寸；根据测量关键尺寸，计算后层结构相对于前层结构的偏移量；根据计算得到的偏移量，确定后层与前层结构的偏移情况，并根据偏移量调整光刻机或其他工艺参数以实现层间对准。本发明解决了现有技术中半导体层间堆叠偏移量的测量，和加工中实现层间对准的技术问题。