高压LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种高压LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括：提供外延片；形成刻蚀至第一半导体层的第一孔洞、过道刻蚀槽和桥接刻蚀槽；形成光刻胶层；曝光形成第一非曝光区、过道曝光区、桥接曝光区、第二非曝光区和欠曝光区；显影去除过道曝光区、桥接曝光区的光刻胶层以及欠曝光区预设量的光刻胶层；将剩余的光刻胶层烘烤固化；刻蚀去除过道刻蚀槽内、桥接刻蚀槽内的剩余的第一半导体层，暴露衬底；并去除欠曝光区内预设厚度的外延层，在欠曝光区内形成倾斜角度≤45°的斜坡；去除剩余的光刻胶层；形成第一电极、第二电极和桥接电极。实施本发明，可简化制备工艺，降低成本。