一种深紫外LED倒装芯片p型反射电极结构及其制备方法

本发明属于深紫外LED倒装芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED倒装芯片p型反射电极结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：制备外延片结构；在p型GaN接触层上制备金属Ni层；对金属Ni层进行高温退火，形成p型欧姆接触，同时金属Ni层团聚形成Ni纳米颗粒；以Ni纳米颗粒作为掩膜，刻蚀p型GaN接触层；制备反射金属Rh层。本发明通过在p型GaN接触层上蒸镀金属Ni层，高温退火形成Ni纳米颗粒，以Ni纳米颗粒作为掩膜，刻蚀p型GaN接触层，再蒸镀反射金属Rh层，减少GaN吸光的同时，增加反射，从而获得更高光效的深紫外LED倒装芯片。