一种基于非对称多量子阱技术的宽带可调谐光发射芯片及制备方法

本发明提供一种基于非对称多量子阱技术的宽带可调谐光发射芯片及制备方法，可调谐光发射芯片包括若干成列分布的激光器单元，每列激光器单元包括若干串联的激光器；若干列激光器单元通过级联Y波导合波实现单波导激光输出，激光器包括非对称多量子阱层和光栅层，量子阱厚度自上而下逐渐递减，光栅位于上限制层表面。本发明采用串联及并联的可调谐激光器，通过级联Y波导合波实现单波导激光输出；设置非对称多量子阱，可拓宽激光器总体的可调谐范围；通过重构等效啁啾技术制作取样光栅来选择激射波长，并引入π相移进行相位匹配，以保证的单波长输出；本发明能够为多个激光器单元提供增益，提高了单片集成的密度，增加了传输容量，提高了单模良率。