一种LED外延片、石墨烯层的生长方法及LED芯片

本申请涉及一种LED外延片、石墨烯层的生长方法及LED芯片，属于LED技术领域。一种LED外延片，包括：衬底，以及在衬底上依次外延生长的石墨烯层、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层；其中，单层石墨烯层的厚度为0.5‑1.5nm，石墨烯层的层数至少为2层。本申请提供的LED外延片，通过石墨烯夹层的沉积，降低了GaN模板层中的缺陷密度。这使得电子和空穴的复合效率提高，从而增强了LED的发光效率。石墨烯层的存在降低了芯片的压缩应变，减少了极化场的影响，使得电致发光(EL)的发射波长更加稳定。