一种无刻蚀台面的Micro-LED芯片及其制备方法

本发明公开一种无刻蚀台面的Micro‑LED芯片及其制备方法，Micro‑LED芯片包括：发光结构，包括衬底层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；发光结构边缘露出N型氮化镓层；选择性凹槽阵列，位于P型氮化镓层的上方，选择性凹槽阵列包括多个凹槽结构、以及围绕凹槽结构绝缘结构；凹槽结构露出P型氮化镓层；选择性凹槽阵列还露出N型氮化镓层；薄膜结构，包括电流扩散层和金属电极；薄膜结构位于凹槽结构中P型氮化镓层的上方，以及N型氮化镓层的上方；电流扩散层与P型氮化镓层接触，电流扩散层还与N型氮化镓层接触。采用上述技术方案，可避免对Micro‑LED像素单元的侧壁造成损伤，从而提高芯片性能。