一种宽波长电吸收调制激光器芯片

本实用新型涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用。本实用新型提供的宽波长电吸收调制激光器芯片包括衬底、第一调制器层、第一前光栅层、第一增益层、第一相层、后光栅层、第二相层、第二增益层、第二前光栅层、第二调制器层、取样光栅、包层、电接触层、电隔离沟、P面电极和N面电极。取样光栅设置在第一前光栅层、后光栅层与第二前光栅层内。在所有功能层上方，依次堆叠有包层与电接触层，各功能层之间设置有电隔离沟，电接触层的上方设有P面电极，衬底下方设有N面电极。该芯片利用同一个后取样光栅反射区，实现同一集成芯片双端出光，速率和波长调谐性能翻倍的效果，大大降低集成芯片的功耗。