集成衍射光学神经网络迁移学习芯片及其参数训练方法

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集成衍射光学神经网络迁移学习芯片及其参数训练方法
申请号:CN202510663249
申请日期:2025-05-22
公开号:CN120181157B
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本发明提供的集成衍射光学神经网络迁移学习芯片及其参数训练方法,包括布置在波导层的输入硅波导、集成衍射光学神经网络、锥形硅波导、输出硅波导、小规模迁移神经网络;所述集成衍射光学神经网络中有硅槽阵列嵌入;信号光经输入硅波导传输至集成衍射光学神经网络,信号光通过集成衍射光学神经网络中的硅槽阵列产生相位延迟并发生光学衍射后输入锥形硅波导,锥形硅波导对输入的信号光进行模式选择后经输出硅波导输入小规模迁移神经网络,小规模迁移神经网络对信号调制后输出。本发明能够在相位改变的同时对光场进行调制,并且能够高效率的对多个任务进行处理,提高了芯片的资源利用率以及通用性。
技术关键词
参数训练方法 小规模 芯片 神经网络参数 光栅耦合器 信号接收装置 信号光 延迟参数 光电探测器 光学材料 曾德尔干涉仪 信号调制 锥形 波导阵列 调制器 二氧化硅 氮化硅
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