摘要
本发明公开了一种厚铝湿法腐蚀工艺中刻蚀终点的判断方法,通过改进芯片制造工艺流程,对湿法腐蚀铝层的工艺结果判定流程进行优化。具体技术方案为:计算铝硅铜腐蚀垂直和水平方向速率和清晰比之间的关系,计算腐蚀到铝硅铜底部所需时间,并根据铝线之间的距离得到需要加腐的时间,最终确定总时间。本发明能够精确计算出腐蚀到铝硅铜底部所需的时间,并据此确定总腐蚀时间。这种方法极大地提高了腐蚀时间的准确性和一致性,避免了传统方法中依赖人工观察颜色变化带来的主观性和不确定性。通过精确控制腐蚀时间,本发明有效地避免了因腐蚀时间过长导致的铝线被腐断的问题,确保了半导体产品的稳定性和可靠性。
技术关键词
湿法腐蚀工艺
硅酸盐玻璃
判断方法
精确控制腐蚀
观察颜色变化
半导体产品
速率
终点
上沉积
依赖人工
衬底
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芯片
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