一种反极性红光发光LED芯片及其制作方法

本发明涉及芯片技术领域，具体是涉及一种反极性红光发光LED芯片及其制作方法。该反极性红光发光LED芯片自下而上包括石墨衬底、石墨烯键合层、Ag反射镜、AZO导电薄膜层、MgF介质膜层、GaP窗口层、P型‑半导体层、发光层、N型‑外延限制层、N型‑电流扩展层、粗化层、钝化层、GaAs接触层、N电极。本发明通过从芯片制作工艺上进行合理设计，不需要多次蒸镀镜面层、键合层以及背金等金属，不仅缩短了芯片制作流程，还可极大缩减芯片黄金的使用，得到的LED芯片亮度高、可靠性好、使用寿命长、成本低。