一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括：提供一生长所需的衬底，在衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层；在P型半导体上制备N型导电通孔；在P型半导体层以及N型导电通孔上制备电流扩展层；在N型导电通孔以及电流扩展层上制备隔离槽；在P型半导体层、N型导电通孔、电流扩展层以及隔离槽上制备第一半导体层；在第一半导体层上制备第三绝缘层；在第三绝缘层上制备导热金属层；在导热金属层上制备第四绝缘层；在第四绝缘层上制备焊盘层；利用共晶焊接工艺，将完成步骤S9后的半成品焊接在支架上。