一种MEMS芯片晶圆级封装真空度检测方法及系统

本发明涉及一种MEMS芯片晶圆级封装真空度检测方法及系统，包含：①将晶圆级封装MEMS器件置于真空探针台上进行标定，调整腔体真空度，记录此时的真空度Pc；记录不同真空下的热导Gth,并按照Gth＝APc+B进行线性拟合求得A、B值；②将MEMS器件置于真空探针台上，使用①中同样方式进行热导预测试；③在测试数据中观察最大电流和最小电流时的阻值Ri和Rf，如果8％≤(Ri‑Rf)/Ri≤12％，则记录测试数据表格给出的热导Gth；否则增大或减小热导测试程序中的电流，使得该值落在8％‑12％的范围内；记录最终测试数据表格给出的热导Gth；④使用标定的A和B,由计算器件真空度Pd。本发明适用于所有可集成所述微桥结构微真空计的MEMS及其他类型芯片封装腔体真空度检测。