一种LED芯片及制备方法

本发明公开了一种LED芯片及制备方法，该芯片包括衬底和外延层，外延层包括N型半导体层、多量子阱层与P型半导体层，该芯片还包括设于P型半导体层上的电流阻挡层、设于电流阻挡层上的透明导电层、设于透明导电层上的P型电极，P型电极包括焊盘部以及用于与焊盘部连接的引线部；其中，透明导电层沿着焊盘部与引线部的连接肩膀处的方向外扩，以避免焊盘部在连接肩膀处的部分和透明导电层直接接触。本发明解决了现有技术中制作LED过程中，在封装焊线时易出现引线在连接肩膀处被焊断的问题。