一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法

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一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法
申请号:CN202411370422
申请日期:2024-09-29
公开号:CN119050235B
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法,其中,高可靠性的通孔型垂直LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘结构、集成金属层、欧姆反射层以及外延叠层;其中,外延叠层朝向导电基板的一侧设有显露有源区部分表面的沟道,绝缘结构设置于外延叠层朝向导电基板的一侧,并覆盖沟道、集成金属层及外延叠层的裸露面,通过绝缘结构对沟道进行绝缘,可避免LED芯片在形成切割道时侧壁直接裸露PN结被短路造成侧壁漏电的风险,进而提高LED芯片可靠性和稳定性,其工艺制作简单、便捷,便于生产化。
技术关键词
垂直LED芯片 绝缘结构 导电基板 叠层 半导体层 外延 通孔 围坝 生长衬底 介质 有源区 凹槽 转角处 芯片结构 缓冲 层叠 蚀刻
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