一种单芯RGB白光LED芯片及其制作方法

本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体为一种单芯RGB白光LED芯片及其制作方法，包括：蓝宝石衬底；依次层叠于衬底上的n‑GaN层、绿光量子阱层、蓝光量子阱层、p‑GaN层；覆盖p‑GaN层的ITO透明导电层；设于ITO层上的SiO2键合层，其表面粗化，Ra＞500nm；通过键合层集成的红光外延结构，包含n‑AlGaInP层、红光量子阱层及p‑AlGaInP层，并腐蚀为岛状结构；贯穿红光外延结构的电极通孔，暴露ITO层及n‑GaN层；分别连接ITO层的P电极和n‑GaN层的N电极。本发明免荧光粉设计消除色漂移，提高白光稳定性，单芯片集成RGB三色，简化封装工艺。