高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法

本公开公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法，属于半导体光电技术领域。高电子迁移率晶体管芯片包括源极、漏极和外延层；外延层包括依次层叠的沟道层、势垒层与盖帽层，外延层还包括接触槽，接触槽的槽口位于盖帽层，且接触槽的槽底延伸至沟道层，接触槽内具有N型重掺杂GaN层，N型重掺杂GaN层覆盖在接触槽的内壁；源极和漏极分别位于对应的接触槽内且与N型重掺杂GaN层电性连接。本公开实施例能够降低欧姆接触电阻。