一种GaN HEMT器件、制造方法和芯片

本发明实施例提供了一种GaN HEMT器件、制造方法和芯片，该GaN HEMT器件包括：依次连接的衬底、成核层、外延层和势垒层；掺杂层，设置于势垒层的上表面；漏极，设置于势垒层的上表面；源极，设置于势垒层的上表面；栅极，设置于掺杂层的上表面；成核层的上表面形成有第一凹槽和第二凹槽；漏极对应第一凹槽的区域；源极对应第二凹槽的区域。从而通过成核层上表面的第一凹槽和第二凹槽，漏极和源极分别对应第一凹槽区域和第二凹槽的区域的设置，使得成核层表面与外延层衔接更好、贴合度更高，降低了界面应力，进而降低了漏极和源极附近的电场强度，提升了GaN HEMT器件的耐压能力，满足了GaN HEMT器件耐压的高需求。