一种垂直LED芯片结构及制作方法

本申请公开了一种垂直LED芯片结构及制作方法，包括导电衬底；所述导电衬底下设有背面金属层；所述导电衬底上设有键合金属层；所述键合金属层上设有反射键合金属层；所述反射键合金属层上有欧姆接触金属层；所述欧姆接触金属层上设有钝化绝缘层；所述钝化绝缘层上设有外延材料层；所述外延材料层上设有绝缘保护层；所述绝缘保护层上设有金属手指及焊盘电极；本申请利用巨量转移技术和先进封装技术，用mi cro LED芯片制作传统尺寸的垂直LED芯片，成本低，不遮光，出光效率高，切焊线过程中对芯片无损伤；同时垂直LED芯片可集成更多的功能性器件；很好的解决了现有技术中存在的技术问题，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。