一种存储单元、存储器和电子设备

本公开提供了一种存储单元、存储器和电子设备，存储单元包括：衬底、晶体管单元和电容器；晶体管单元包括第一源漏极、第二源漏极、沟道层、栅极介质层、栅极以及层间绝缘层；电容器包括：包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电介质层。本公开采用沟道环绕栅极的CAA架构的晶体管，利用垂直方向的空间设置源漏极，减少晶体管在水平方向上的占用；同时利用纵向空间进行电容设置，即有利于提升晶体管和电容之间的电连接效果，也有利于缩小电容在水平方向上面积的占用，结合极板的延伸部设置，增加了极板之间的接触面积来提升电容的容值，充分利用垂直空间完成晶体管和电容部署，以提升存储单元布置密度，完成芯片小型化设计。