一种倒装LED芯片及其制备方法、设备

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、设备，涉及半导体技术领域。在DBR层背离衬底的一侧设置堆叠膜层，所述堆叠膜层包括在所述第一方向上依次层叠设置的N层第一膜层，N≥2，且N为正整数；其中第i层第一膜层的折射率大于第i+1层第一膜层的折射率，N＞i≥1，且i为正整数。换言之，在DBR层上设置折射率逐渐减小的N层第一膜层，使得光在通过内部界面时进行多次反射与透射，进一步增强了对内部光的反射作用，进而对DBR层在大角度掠射情况下反射较差的情况进行改善，提高DBR层对大角度入射的光的反射性能。