激光芯片及其成型工艺

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激光芯片及其成型工艺
申请号:CN202511007370
申请日期:2025-07-22
公开号:CN120511557B
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种激光芯片及其成型工艺,激光芯片包括激光结构、脊波导结构和钝化层,激光结构的有源区通入电流后,电子和空穴在有源区复合,产生光子,光子通过反复震荡,不断放大,最终形成激光,脊波导结构与激光结构形成耦合,激光结构形成的激光通过耦合进入脊波导结构,脊波导结构形成光的传播通道,对激光的传播范围进行限制,钝化层设置于脊波导结构的两侧,钝化层可实现脊波导结构的绝缘以及为脊波导结构提供防护,由于激光芯片还设置有低密结构,低密结构形成于钝化层,且密度小于钝化层,依托低密结构和钝化层形成的折射率差,实现激光光场在脊波导结构的强约束,从而有效抑制高阶横模激发,提高激光的输出质量。
技术关键词
脊波导结构 激光 电极板 空气腔 芯片 外延结构 电极结构 高阶横模 石墨 微纳米 有源区 密度 电流 蚀刻 气相 绝缘
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