一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法、LED芯片

本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法、LED芯片，在外延结构中分别针对电子弹道输运、量子阱中的量子斯塔克效应结构导致电子加速、热电子跃迁的情况分别设计了多级电子‑声子散射结构、多量子阱垒层中的量子阱层的禁带宽度逐级递增、InGaN台阶结构来抑制不同情况下的电子泄漏，有效提高了大电流下的外量子效率。