一种二极管及其制作方法

本申请提供了一种二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该二极管包括位于外延片表面的终端区与有源区；有源区包括复合结构与多个P柱，多个P柱之间间隔设置，复合结构包括第一P区与位于第一P区两侧的第二P区、第三P区，第一P区、第二P区以及第三P区间隔设置，第一P区的宽度大于第二P区、第三P区以及P柱的宽度，第二P区、第三P区的底部设置为阶梯型，且第二P区、第三P区的深度大于第一P区的深度；其中，当二极管处于浪涌电流工况时，第一P区用于提供浪涌电流主通道，第二P区与第三P区用于分摊部分浪涌电流。本申请具有实现了标称正向传导能力、浪涌电流处理能力以及单位芯片成本之间的平衡的优点。