micro-LED芯片的制备方法及micro-LED芯片

本申请提供了一种micro‑LED芯片的制备方法及micro‑LED芯片，涉及半导体技术领域，该方法包括：在目标衬底上生长外延层；在外延层表面生成目标ITO薄膜；刻蚀外延层至n型GaN层的表面，形成n型GaN台面结构；在n型GaN台面结构的n型GaN层暴露区域刻蚀n型GaN层至目标衬底的表面，得到micro‑LED阵列结构，micro‑LED阵列结构中的各个micro‑LED结构之间是相互电气隔离的；在micro‑LED阵列结构上生长绝缘层及目标电极，得到micro‑LED芯片。实施本申请提供的技术方案，解决了相关技术中存在的Micro‑LED芯片的通信效率较低的技术问题。