发光二极管芯片及其制备方法

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发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202410888242
申请日期:2024-07-04
公开号:CN118412416B
公开日期:2024-10-11
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括依次层叠的发光结构、第一透明导电层、绝缘层、第二透明导电层和金属反射层,发光结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层;第一透明导电层具有露出第二半导体层的多个第一通孔;绝缘层通过多个第一通孔与第二半导体层连接;第二透明导电层包覆绝缘层且与第一透明导电层连接,第二透明导电层具有露出绝缘层的多个第二通孔;金属反射层通过多个第二通孔与绝缘层连接。本公开实施例能提高LED芯片的发光效率。
技术关键词
透明导电层 发光二极管芯片 半导体层 金属反射层 发光结构 通孔 层叠 发光层 LED芯片 轮廓
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