一种基于GaN SBD和GaAs PIN两类器件的单片集成限幅器及其制造方法

本发明公开一种基于GaN SBD和GaAs PIN两类器件的单片集成限幅器及其制造方法，单片集成限幅器包括衬底，衬底上设有GaN SBD器件和第一键合功能层，第一键合功能层上表面从下到上依次设有第二键合功能层、GaAs PIN器件和微带线，GaN SBD器件上设有微带线；单片集成限幅器为多级限幅电路，其中，末级对管采用GaN SBD器件，其余每一级对管均采用GaAs PIN器件。本发明有效降低限幅门限电平、缩短响应时间、提高限幅器的频率响应能力和防止中小功率烧毁；末级对管采用GaN SBD进一步提高限幅芯片整体的功率容量；具有大幅提升限幅器的散热能力、进一步提高耐功率性能的技术优势。