多色光电突触成像电路、芯片及图像传感器

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种多色光电突触成像电路、芯片及图像传感器。所述光电突触探测器包括多个光电突触单元，所述光电突触单元包括：控制晶体管；光电突触探测器，与所述控制晶体管连接，所述光电突触探测器至少包括阴离子元素掺杂的非晶氧化物功能层，所述非晶氧化物功能层具有多种带内缺陷。本申请的非晶氧化物功能层带内具有多种带内缺陷，在单一材料上实现了多波段的光电突触探测器，具有可低温大面积均匀制备、对衬底以及相关微电子工艺广泛兼容的优势，降低了工艺复杂度和制备成本，提升了多色光电突触成像电路的性能，可用于构建人工视觉系统及光电神经形态计算等多种应用。