制造大直径硅单晶的拉晶方法、系统、硅单晶及介质

本公开实施例公开了一种制造大直径硅单晶的拉晶方法、系统单晶硅及存储介质，方法可以包括：对拉晶过程进行全局二维模拟，获取在预设拉晶装置模型和预设拉晶参数下拉晶过程中的全局温度分布、速度场分布以及初始固液界面值；根据全局温度分布和速度场分布确定边界条件，并基于边界条件对拉晶过程进行局部三维模拟确定目标固液界面值；调整预设拉晶参数，直至初始固液界面值与目标固液界面值在阈值范围内相等，并将调整后的预设拉晶参数作为参考拉晶参数；根据参考拉晶参数模拟计算拉晶过程中的模拟缺陷；根据模拟缺陷迭代优化参考拉晶参数，直至模拟缺陷满足预设条件，并将优化后的参考拉晶参数作为目标拉晶参数，并制造无缺陷硅单晶。