一种LED芯片及其制备方法、设备

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法、设备，涉及半导体器件技术领域。该LED芯片中将P电极区域进行下挖处理，使N电极和P电极的主体电极部分分别位于厚度相同的第一区域和第二区域，并且使N电极和主体电极部分的厚度设置为相同，以此来保证N焊盘区域和P焊盘区域位于同一水平面，实现N焊盘区域和P焊盘区域等高的目的。并且由于P焊盘区域位于主体电极部分背离衬底的一侧，主体电极部分的底部是第二区域的N型半导体层，并没有透明导电层这一功能介质层，可根除客户固晶推力损坏掉透明导电层的问题。