碳化硅功率器件终端结构及其制造方法

本发明公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法，该碳化硅功率器件终端结构包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、第一导电类型掺杂区、上台面、下台面、介质层、阳极电极和阴极电极。于器件终端区形成N个间隔分布的上台面和下台面，于所有上台面和下台面之中填满介质层，通过控制终端区不同深度位置的介质分布，在显著减小终端区面积、进而减小芯片面积的同时，有效调制主结边缘的电场分布，从而降低主结附近的峰值电场，确保器件的耐压能力。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。