半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备

本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备，半导体装置包括：塑封体；基板；驱动侧引脚框架；所述PFC功率芯片包括PFC功率开关芯片和PCF二极管芯片，所述PFC功率开关芯片设置于所述第一PFC功率焊盘部，所述PCF二极管芯片设置于所述第二PFC功率焊盘部，所述PFC二极管芯片具有碳化硅衬底，设定所述PFC功率焊盘部的面积为S1，设定所述第二PFC功率焊盘部的面积为S2，S1和S2满足关系式：13%S1≤S2≤22%S1。由此，碳化硅衬底的PFC二极管芯片可以减小PFC功率芯片的反向恢复损耗，将第二PFC功率焊盘部的面积设置在合理的范围内，可以在保证PFC二极管芯片自身散热需求的前提下，尽可能地扩大PFC功率开关芯片的散热面积，从而提升PFC功率开关芯片的散热性能。