集成功率半导体器件和电子设备

本申请提供了一种集成功率半导体器件和电子设备，该集成功率半导体器件包括：第一功率半导体芯片，第一功率半导体芯片包括第一晶闸管；导电层，位于第一功率半导体芯片的一侧，导电层作为第一功率半导体芯片的阴极；第二功率半导体芯片，位于导电层的远离第一功率半导体芯片的一侧，第一功率半导体芯片与第二功率半导体芯片通过导电层串联。本申请解决了现有功率半导体器件封装中，阴极电极主要起到导电作用，其空间利用率不高导致功率半导体器件的性能较差的问题。