半导体存储器件及其制造方法

本申请提供了一种半导体存储器件及其制造方法，该半导体存储器件包括第一芯片、第一介质块和第一导电柱，第一介质块沿第一方向贯穿所述第一芯片，所述第一介质块的材料包括玻璃，第一导电柱沿所述第一方向贯穿所述第一介质块。本申请通过在第一导电柱和第一芯片之间设置第一介质块，使第一导电柱形成在第一介质块中，并且第一介质块采用玻璃材料，而玻璃材料的膨胀系数相比于硅材料更低，可以减小热应力，因此可以提高器件可靠性和产品良率。