一种碳基芯片热仿真方法及装置

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一种碳基芯片热仿真方法及装置
申请号:CN202410844814
申请日期:2024-06-27
公开号:CN118862420A
公开日期:2024-10-29
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种碳基芯片热仿真方法及装置,涉及热仿真技术领域。在执行所述方法时,先利用基于碳纳米管场效应晶体管模型生成的设计工具套件和标准单元库,生成待仿真的碳基芯片的版图,再基于待仿真的碳基芯片的版图进行功耗分析,得到功耗分析结果,接着,从功耗分析结果中提取功耗缩放因子,最后,将功耗缩放因子集成到热仿真工具的功耗仿真器中,以实现对碳基芯片的热仿真。这样,通过利用基于碳纳米管场效应晶体管模型生成的设计工具套件和标准单元库生成仿真的碳基芯片的版图,并分析功耗,提取功耗缩放因子,最终集成到的热仿真工具中,以此提高了碳基芯片热仿真的准确性。
技术关键词
碳纳米管场效应晶体管 标准单元库 设计工具 芯片 功耗 硬件描述语言 热仿真方法 仿真工具 版图 报告 仿真器 套件 布线单元 时钟网络 因子 静态时序分析 热仿真技术 规划 布局
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