晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法

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晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法
申请号:CN202410859256
申请日期:2024-06-28
公开号:CN118712147A
公开日期:2024-09-27
类型:发明专利
摘要
一种晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法,封装结构包括:基板;多个半导体芯片,包括相对的有源面和背面,半导体芯片的有源面倒装在基板上表面;包覆半导体芯片以及基板上表面的第一塑封层;位于基板的下表面的外接凸起;包覆外接凸起的侧面以及基板下表面的第二塑封层,且第二塑封层的厚度小于第一塑封层的厚度,第二塑封层的热膨胀系数和/或杨氏模量等于或高于第一塑封层的热膨胀系数和/或杨氏模量。从而有效调控晶圆级超大芯粒模块的系统封装结构在室温时或高温时的翘曲。本申请获得国家重点研发计划项目(项目编号:2023YFB4404300,课题编号:2023YFB4404305)的支持。
技术关键词
系统级封装结构 半导体芯片 基板 规模 高密度沟槽 微器件 布线 焊料 焊点 系统封装结构 刻蚀工艺 晶圆 台阶 二极管 电感 通孔 电容 计划 尺寸
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