一种框架载体下凹实现超薄封装的QFP封装结构及其制备方法

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一种框架载体下凹实现超薄封装的QFP封装结构及其制备方法
申请号:CN202410861494
申请日期:2024-06-28
公开号:CN118782573A
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体封装技术领域,具体为一种框架载体下凹实现超薄封装的QFP封装结构及其制备方法,包括塑封后的裸铜框架,裸铜框架中心以蚀刻方式刻蚀有凹槽,凹槽内部贴有芯片,芯片通过键合线与裸铜框架连接,芯片、键合线和部分裸铜框架由塑封料进行包覆,引脚伸出裸铜框架的侧面位于塑封料外侧。本发明利用框架的下凹特性进一步减小芯片焊点与引脚之间的距离,缩短焊丝长度,缩短信号传播路径,提高产品运行速度、减小焊丝线弧高度,减小塑封体厚度,很大程度上缩减产品厚度,针对封装节点可节约材料成本、提高材料利用率,减小产品厚度。
技术关键词
裸铜框架 封装结构 键合线 芯片 载体 蚀刻方式 信号传播路径 半导体封装技术 凹槽 焊丝 丝线 焊点 成品 节点 速度
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