一种LED外延结构及其制备方法

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其所述有源层通过最后一个量子垒层与所述电子阻挡层形成接触；且，在所述电子阻挡层中嵌入最后一个量子阱层。基于上述结构，通过在最后一个量子垒层和最后一个量子阱层之间夹杂设有所述前置电子阻挡层，从而增加了电子有效势垒高度，藉以减少电子泄露；此外，通过在所述电子阻挡层中嵌入最后一个量子阱层，有利于增强其电子俘获能力并增加空穴隧穿使载流子在有源层分布更加均匀，最终得以提升LED芯片的整体发光性能；同时，可通过后置电子阻挡层进一步迟滞电子的迁移速率。