多波段成像芯片及其制作方法以及传感器及其制作方法

本申请公开了一种多波段成像芯片及其制作方法、一种传感器及其制作方法，该多波段成像芯片的制作方法包括：形成施主衬底，施主衬底包括：第一衬底，位于第一衬底表面的第一本征锗层，位于第一本征锗层远离第一衬底一侧的传感层、位于传感层远离第一本征锗层一侧的第一接触层以及位于第一接触层远离传感层一侧的第一键合层，第一键合层为导热层；形成受主衬底，受主衬底包括第二衬底以及位于第二衬底表面的第二键合层，第二衬底和第二键合层均为导热层；利用第一键合层和第二键合层键合施主衬底和受主衬底。该制作方法可提高多波段成像芯片的散热能力，且结构的复杂度较低，体积、重量和成本也较小。