一种三维光电集成封装结构及其形成方法

本发明涉及一种三维光电集成封装结构及其形成方法，形成方法包括：在载片上正装布置光芯片及保护结构，其中保护结构与光芯片之间存在空隙，光芯片正面的边缘具有光口，且光口与保护结构相对；在光芯片上倒装设置电芯片，电芯片有一部分伸出越过空隙位于保护结构的上方；形成包覆保护结构、光芯片和电芯片的薄膜层；形成塑封层，塑封层一体塑封保护结构、光芯片和电芯片，然后减薄电芯片上的塑封层和薄膜层，露出电芯片；去除载片，并沿着保护结构与光芯片之间的空隙切割电芯片以露出光口；以及将光纤与光芯片的光口耦合。本发明通过真空压膜的方式形成空腔用于光口保护，不占用芯片有源区面积，可大幅提高电芯片与光芯片的面积比。