一种采用新型导通电阻建模方法的SiC MOSFET SPICE行为模型

本发明公开一种采用新型导通电阻建模方法的SiC MOSFET SPICE行为模型，建模方法包括：通过实际测试获取SiC器件在栅极电压为14V、16V、18V和20V下环境温度为25℃、75℃、125℃的输出特性曲线；提取并绘制不同栅极电压下导通电阻随温度的变化曲线和在环境温度为25℃条件下导通电阻随栅极电压变化曲线；导通电阻建模，采用拟合公式RD(Vgs,T)对不同栅极电压下导通电阻随温度的变化曲线进行拟合，获取拟合参数值；采用拟合公式R25(Vgs)对环境温度为25℃条件下导通电阻随栅极电压变化曲线进行拟合，获取拟合参数值；建立导通电阻Ron模型；SiC MOSFET SPICE行为模型构建。