一种高亮度LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，外延层的四周成型有第一沟槽，中心区域成型有第二沟槽；第一沟槽延伸至衬底，第二沟槽延伸至N型GaN层内；P型GaN层上设置有ITO透明导电层，沿着第一沟槽、ITO透明导电层和第二沟槽的表面设置增反膜层，增反膜层上嵌设有Ag反射镜层；沿着增反膜层和Ag反射镜层的表面设置有第一钝化层，第一钝化层上设置有金属导电层，N型金属导电部与N型GaN层相接；P型金属导电部与Ag反射镜层相接。本发明通过设置第一沟槽，可以避免浪费外延层的发光面积，通过设置增反膜层，可以有效提高光的反射效率，从而有效提高LED芯片的亮度。