一种芯片结构和制备方法

本发明公开了一种同时提高深紫外LED晶体质量和注入效率的芯片结构和制备方法。所述芯片结构包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层的上方设有多量子阱层，在多量子阱层的侧面设有n型掺杂层，在n型掺杂层的上方设有n型接触电极；在所述多量子阱层内插设有若干个p型掺杂层插头，在p型掺杂层插头和多量子阱层的上方设有p型掺杂层，在p型掺杂层上设有p型接触电极；在整个结构的上表面设有钝化层，加厚金属电极穿设于钝化层且位于n型接触电极和p型接触电极上。本发明能够同时改善多量子阱层中空穴注入不足和提高多量子阱层的晶体质量。