绝缘栅MIS HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备

本申请公开了一种绝缘栅MIS HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备，该器件结构包括：衬底层，依次位于衬底层上的成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和C掺杂的C:GaN绝缘层；金属层，位于绝缘层上；隔离结构，位于HEMT器件的侧壁，其中，隔离结构贯穿于势垒层、插入层和沟道层，且位于缓冲层上；钝化层，位于金属层的和势垒层的上表面、绝缘层的和金属层的侧壁；栅极，位于栅极开孔区域，且贯穿钝化层至金属层的上表面；源极和漏极，分别位于栅极的不同侧其中，源极和漏极贯穿于所述钝化层、势垒层、插入层和部分沟道层。本申请通过设置C:GaN绝缘层和高阻缓冲层，使得器件具有较正的阈值电压，减少器件的栅极漏电，提高了器件的栅极的耐压特性。