一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件

本发明提供了一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件，该结构包括：绝缘底板，绝缘底板上设置上半桥底板和下半桥底板，上半桥底板和下半桥底板上分别安装IGBT芯片和FRD芯片；绝缘底板上设置分别与上半桥底板或上半桥底板对应的栅极引脚、发射极引脚、开尔文引脚和集电极引脚；第一发射极引脚与下半桥底板连通；IGBT芯片分别与对应的FRD芯片铝带键合连通，第二发射极引脚与第二IGBT芯片铝带键合连通；IGBT芯片上设置有焊盘分别与对应的栅极引脚、开尔文引脚铝线键合连通；IGBT单管结构的塑封体外部套设金属外壳。该方案在使用IGBT单管构成半桥电路时，能够承载较大电流，且使器件的抗EMI能力较强。