三维芯片及其制备方法、电子设备

本申请提供一种三维芯片及其制备方法、电子设备，三维芯片包括第一功能层以及与第一功能层三维连接的第二功能层；其中，第一功能层具有M个第一极限曝光区域；第二功能层具有N个第二极限曝光区域；其中，M、N均为大于或等于2的整数。具体的，本申请提供的三维芯片中，第一功能层具有M个第一极限曝光区域，第二功能层具有N个第二极限曝光区域，由于每个极限曝光区域均通过一光刻母版图案化形成，以此，本申请提供的三维芯片的尺寸更大，能够设置更多的功能单元，且第一功能层和第二功能层三维连接在一起，第一功能层和第二功能层的互联高度很低，使得信号传输通道数据延迟降低，极大的提高了数据传输速度，从而有利于提高产品性能。