半导体器件

本公开涉及半导体器件。根据实施例的半导体器件包括具有在半导体衬底的第一区域中形成的第一MOSFET的半导体芯片；在第一区域内的第二区域中形成的检测元件；在第一区域之上形成并且与第一MOSFET的源极连接的源极电极；以及被布置为覆盖检测元件并且与源极电极针脚式键合的源极电极材料。