可剥离深紫外LED芯片结构及其制备方法和剥离方法及深紫外LED薄膜芯片

本发明公开一种可剥离深紫外LED芯片结构及其制备方法和剥离方法及深紫外LED薄膜芯片，其中，可剥离深紫外LED芯片结构在衬底模板和有源区之间设置有牺牲层和AlN阻挡层，且牺牲层位于衬底模板与AlN阻挡层之间。由于Si掺杂AlN的激活能很高，导致即使在较重的Si掺杂浓度下，AlN薄膜也是绝缘的，因此，能够保证牺牲层和电子注入层均具有较高的电子浓度，从而，保证牺牲层与阻挡层之间的界面在经历电化学腐蚀处理之后的平整度，避免有源区中的电子注入层因导电而被腐蚀的问题，以及避免造成该可剥离深紫外LED芯片结构做成器件之后电压过高、接触电阻过大、光源效率低等问题。