氮化镓微波功放芯片共晶焊接方法及氮化镓微波功放器件

本发明提供了一种氮化镓微波功放芯片共晶焊接方法及氮化镓微波功放器件，共晶焊接方法包括以下步骤：清洗管壳、氮化镓微波功放芯片、金锡焊料片；将焊接腔室抽真空并升温至预设的待机温度；将管壳吸附到共晶加热焊台，将金锡焊料片吸附到管壳上；将共晶加热焊台的温度升至预融温度；将若干氮化镓微波功放芯片吸附至预融的金锡焊料片上；将焊接腔室内的温度提升至共晶温度后进行反复刮擦，以使得氮化镓微波功放芯片和管壳通过摩擦共晶完成焊接；将焊接腔室的温度降至待机温度，得到共晶后的氮化镓微波功放器件。本发明方法得到的产品整体空洞率低至1.79%，提高了芯片的散热能力和产品的可靠性。