一种寻求沉积生长半导体砷化镓薄膜最佳参数的模拟方法

本发明提供一种寻求沉积生长半导体砷化镓薄膜最佳参数的模拟方法，包括以下步骤：S1、使用Lammps与Material Studio材料模拟软件建立具有一定粗糙度的砷化镓衬底仿真模型，其表面粗糙度模拟现实难以以单晶状态存在的砷化镓晶体，表面粗糙模型以具体情况进行添加，在模型中划分固定区域进行固定以达到稳固基底的目的。本发明提供的一种寻求沉积生长半导体砷化镓薄膜最佳参数的模拟方法，通过Material Studio软件，Lammps开源软件、VESTA软件、Ovito可视化软件和Origin数据处理软件，所使用分子动力学模拟方法能克服了实验上成本大、时间长的困难，弥补了在实验过程中难以观察到原子生长过程中的单个原子的运动轨迹与内部结构变化的不足。