一种晶圆膜厚测量方法和化学机械抛光设备

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一种晶圆膜厚测量方法和化学机械抛光设备
申请号:CN202410899174
申请日期:2024-07-05
公开号:CN118875959A
公开日期:2024-11-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种晶圆膜厚测量方法和化学机械抛光设备,所述晶圆膜厚测量方法包括:在抛光初始阶段采集反射光谱,获取所述反射光谱的光谱波峰或者波谷的数量;依据所述光谱波峰或者波谷的数量,选择使用FFT算法或光谱拟合算法解算晶圆膜厚。
技术关键词
测量方法 机械抛光设备 FFT算法 拟合算法 温度检测单元 波长 可读存储介质 反射率 处理器 抛光盘 关系 存储器 滤波 计算机 理论 强度 阶段 频率 晶圆
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